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BTS621L1是高侧功率开关 集成垂直功率FET 提供嵌入式保护和诊断功能

时间:2019-7-3, 来源:互联网, 文章类别:元器件知识库

BTS621L1是高侧功率开关,集成垂直功率FET,提供嵌入式保护和诊断功能。N通道垂直功率FET,带电荷泵,接地参考CMOS兼容输入和诊断反馈,单片集SmartSAPMOS中技术。提供嵌入式保护功能。

特征

过载保护

目前的限制

短路保护

热关机

过压保护(包括负载突降)

感应负载的快速退磁

反向电池保护1)

欠压和过压关断

自动重启和滞后

开漏诊断输出

在ON状态下打开负载检测

CMOS兼容输入

地面损失和Vbb保护损失

静电放电(ESD)保护

绿色产品(符合RoHS标准)

AEC合格

应用

C兼容电源开关,具有12 V和24 V DC接地负载的诊断反馈所有类型的电阻,电感和电容负载

替换机电继电器,保险丝和分立电路

产品摘要

过压保护Vbb(AZ)43 V.

工作电压Vbb(on)5.0 ... 34 V.

渠道:各自

平行

导通电阻RON 10050m

负载电流(ISO)IL(ISO)4.4 8.5 A

电流限制IL(SCr)8 8 A.

引脚符号功能

1 OUT1(负载,L)输出1,保护通道1的高侧功率输出

2 GND逻辑地

3 IN1输入1,在逻辑高电平信号的情况下激活通道1

4 Vbb正电源电压,

标签与此引脚短接

5 ST诊断反馈:开漏,低故障

6 IN2输入2,在逻辑高电平信号的情况下激活通道2

7 OUT2(负载,L)输出2,保护通道2的高端功率输出

状态输出图

ESD齐纳二极管:典型值6.1 V,最大5 mA;RST(ON)<380,1.6 mA,ESD齐纳二极管不是

在直流条件下用作电压钳。在该模式下操作可能导致齐纳二极管漂移电压(增加到1 V)。

电感和过压输出钳位图

VON钳位至47 V(典型值)。

开路检测:通态诊断条件:VON <RON * IL(OL); 在高

关闭状态诊断条件:VOUT> 3 V(典型值); 在低

GND断开

任?#25105;?#31181;负载。如果输入=高,则为VOUTVIN - VIN(T +)。由于VGND> 0,没有VST =可用的低信号。


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